Smartphone con 512GB di memoria integrata dal 2018

Smartphone con 512GB di memoria integrata dal 2018

 

Scritto da , il 22/03/18

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Silicon Motion Technology (via Digitimes) ha annunciato nel mese di Marzo del 2017 il lancio di nuovi moduli di memoria UFS (Universal Flash Storage) 2.1 della famiglia Controller, una linea di prodotti completa di supporto per UFS HS-Gear3x1L e HS-Gear3x2L, consentendo lettura e scrittura di dati velocemente sui telefoni cellulari. Ad un anno da questo annuncio, possiamo aspettarci il debutto nel 2018 dei primi smartphone con memoria interna fino a 512GB.

Progettati con tecnologia MIPI M-PHY di proprietà di Silicon Motion, architettura a basso consumo e LDPC avanzata (Low Density Parity Check) ECC per il supporto 3D NAND, la famiglia di moduli di memoria UFS 2.1 promette prestazioni di lettura e scrittura fino a 50.000 / 40.000 IOPS , capacità fino a 512GB e un consumo energetico molto basso per gli smartphone di punta e tradizionali.

Universal Flash Storage (UFS) è una specifica per le memorie di tipologia flash per le fotocamere digitali, telefoni cellulari e dispositivi elettronici di consumo che usa M-PHY sviluppata dall'alleanza MIPI, un'interfaccia seriale ad alta velocità da 2,9 Gbit/s per corsia (lane) con una scalabilità fino a 5,8 Gbit/s per corsia. L'obiettivo è ottenere schede di memoria sostitutive a eMMC e Secure Digital ad alte prestazioni, con un basso consumo energetico ed elevate capacità di storage, caratteristiche che risultano fondamentali per le esigenze multitasking e multimediali degli smartphone di oggi. Le schede basate sulla specifica di memoria UFS fanno uso di una interfaccia LVDS SATA seriale full duplex che scala meglio ad alta ampiezza di banda che un'interfaccia parallela ad 8 corsie delle eMMC. A differenza di queste ultime, le UFS sono basate su un modello architetturale SCSI e supporta il Native Command Queuing, ossia una estensione del protocollo SATA 1.0, introdotta con il SATA versione II, che identifica una tecnologia utilizzabile per migliorare la velocità di accesso ai dati memorizzati.

Secondo Silicon Motion, la sua nuova famiglia di moduli UFS 2.1 fornisce prestazioni di lettura / scrittura sequenziale tre volte piu' veloci rispetto ai moduli eMMC 5.1.

"La nostra famiglia UFS 2.1 Controller si estende la nostra leadership su eMMC nei dispositivi mobili per modelli di punta e di alta qualità di oggi", ha detto Wallace Kou, presidente e CEO di Silicon Motion, in un comunicato in occasione dell'annuncio dei moduli di memoria UFS 2.1. "La nostra unica soluzione UFS chiavi in ​​mano introdurrà una nuova generazione di soluzioni integrate di memoria convenienti e ad alte prestazioni."

Walter Coon, direttore per lo sviluppo della tecnologia flash NAND per IHS Markit, ha osservato che "UFS si prevede dominierà le specifiche delle memorie flash entro i prossimi cinque anni [dal 2017], soppiantando eMMC. I vantaggi delle prestazioni di UFS su eMMC sono più notevoli a densità NAND elevate, vale a dire 128GB e 256GB."

"Le capacità multimediali ad alte prestazioni sono una pietra angolare per i dispositivi mobili di oggi e l'aggiunta di 4K e capacità di AR/VR richiederà più robuste ed elevate capacità alle soluzioni di memoria integrate per la maggior parte degli smartphone", ha continuato Coon.

La famiglia UFS 2.1 di Silicon Motion è pronta da un anno, con i produttori che hanno iniziato a testare le nuove schede nel 2017.


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