Samsung lancia nuove memorie flash NAND a 133 mbps

 

Il gigante coreano Samsung ha annunciato di aver cominciato a diffondere sul mercato una nuova gamma di memorie flash NAND che miglioreranno spiccatamente le prestazioni dei telefoni cellulari

Scritto da Maurizio Giaretta il 02/12/09 | Pubblicata in Samsung | Archivio 2009

 

Il gigante coreano Samsung ha annunciato di aver cominciato a diffondere sul mercato una nuova gamma di memorie flash NAND che miglioreranno spiccatamente le prestazioni dei telefoni cellulari.

Le memorie NAND in 30 nanometri racchiudono la potenza di 32 gigabit multi-livello con interfaccia DDR a-sincronizzata.

Samsung ha affermato che le nuove prestazioni non si tradurranno in un maggior consumo della batteria. I chip leggeranno dati a 133 megabits per secondo e rimpiazzeranno le attuali memorie NAND che trasferiscono dati a 40 megabits per secondo.

Il valore del mercato per le memoria flash NAND quest'anno è stimato in 13,8 miliardi di dollari e secondo ricerche di Gartner Dataquest raggiungerà i 23,6 miliardi di dollari entro il 2012.

SanDisk presenta Flash Drive da 64GB iNAND
 
SanDisk 64 GBSanDisk presenta la nuova serie di memorie flash da 64GB iNAND Embedded Flash Drives, basate sulla tecnologia X3 a 32nm che consente di poter sviluppare memorie in formato ridotto da 16x20x1.4mm per 64 GB di memoria flash.

Le nuove SanDisk iNAND Embedded Flash Drives (EFD) con specifica e.MMC 4.4 permetteranno di disporre di una elevata quantità di memoria in smartphone e cellulari, lettori mp3, fotocamere e dispositivi portatili di qualunque genere.

La nuova serie sarà disponibile nei formati da 4 a 64 GB.

Samsung: Flash Memory da 20nm

Samsung annuncia di aver messo in produzione una nuova linea di chip di memoria NAND flash da 20nm (nanometri) rispetto alla precedente linea da 25 nm.

Il nuovo processo produttivo a dimensioni ridotte, consentirà a Samsung di poter produrre scheda da 4GB a 64GB a costi ridotti, con prevista commercializzazione entro fine anno.
Samsung 20 nm Nand Flash

La nuova linea Samsung da 20nm permetterà di raddoppiare la capacità di storage, incrementare la velocità di crescita delle capacità di memorizzazione e poterle produrre a minori costi, senza considerare che potranno essere prodotto schede di memoria ancora più piccole e ridotte rispetto a quelle attualmente utilizzate.

Oltre a misure più ridotte, sarà incrementata del 30% la velocità di lettura e scrittura dati, uno dei principali limiti all'utilizzo di schede di memoria ad alta capacità: bisogna considerare infatti che per esempio in una fotocamera che salva foto da 20-30  Mb, il tempo necessario per scattare le foto in sequenza è dato proprio dal tempo necessario per salvare la foto stessa.

Per quanto riguarda i prossimi anni, le schede di memoria da 2 a 16 Gb sono destinate lentamente a sparire a favore di schede da 32 a 64 Gb, ormai supportate dalla maggior parte dei dispositivi di nuova generazione.

 

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