Samsung inizia sviluppo di chip a 7nm in tempo per Galaxy S9

Samsung inizia sviluppo di chip a 7nm in tempo per Galaxy S9

Dopo TSMC, Samsung ha annunciato la produzione di processori con processo costruttivo a 7nm (7 nanometri) per i dispositivi mobili di fascia alta del 2018.

 

Scritto da , il 25/01/17

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Dopo TSMC, Samsung ha annunciato la produzione di processori con processo costruttivo a 7nm (7 nanometri) per i dispositivi mobili di fascia alta del 2018.

Guardando alla concorrenza, TSMC ha annunciato all'inizio del 2017 l'inizio dello sviluppo di un proprio processo costruttivo a 7nm che dovrebbe concludersi nel secondo semestre di quest'anno, pronto per avviare la produzione di massa nei primi mesi del 2018.

Il capo della divisione Semiconduttori di Samsung ha detto che lo sviluppo della tecnologia dietro il processo costruttivo a 7nm è "impegnativa" durante la conferenza stampa in cui il colosso sudcoreano ha commentato i suoi risultati dell'ultimo trimestre del 2016, sottolineando tuttavia che l'azienda punta a diventare leader nella produzione di chip di questo livello produttori.

Oggi i chipset si possono realizzare con processo costruttivo a 10nm, e rispetto a quest'ultimo passare a 7nm significherebbe ridurre ulterioremente le dimensioni finali del chip stesso, migliorandone la resa produttiva e abbattendone i costi (più un processore è "piccolo" e più processori possono essere fabbricati con un solo wafer). Inoltre, va a diminuire il consumo elettrico e le temperature operative, potendo anche integrare un numero di transistor maggiore con aumento della potenza elaborativa finale.

TSMC e Samsung hanno entrambe previsto l'inizio della produzione di massa di chip a 7nm a inizio 2018, e per quanto riguarda l'azienda sudcoreana significa che il suo smartphone top di gamma del prossimo anno - il Galaxy S9 - probabilmente sarà alimentato da un processore costruito a 7nm.

Nel frattempo, il Samsung Galaxy S8 in arrivo questa primavera è atteso con il chip Snapdragon 835, costruito da Qualcomm con processo a 10 nm FinFET.

Il processo a 14nm continuerà ad essere utilizzato per alcuni anni, in particolare per realizzare i processori che alimenteranno dispositivi di fascia media e indossabili.


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