Samsung rivela roadmap che portera’ ai semiconduttori a 4nm

Samsung Electronics, specializzata nello sviluppo di semiconduttori, ha presentato il 25 maggio una panoramica dei processori che da qui ai prossimi mesi andrà a sviluppare e produrre, più veloci e più efficienti dei chip oggi disponibili sul mercato. In particolare, Samsung si è impegnata a guidare l’industria dei semiconduttori attraverso l’uso di processi costruttivi a 8nm, 7nm, 6nm, 5nm, 4nm e 18nm FD-SOI nei prossimi anni.

"Dai grandi data center all’Internet-of-things, l’industria tende a sviluppare dispositivi intelligenti e sempre collegati che consentano ai consumatori l’accesso ad una quantità senza precedenti di informazioni in modi nuovi e potenti" ha comunicato Samsung.

"La natura onnipresente di macchine intelligenti, collegate e dispositivi di consumo quotidiani segnala l’inizio della prossima rivoluzione industriale", ha dichiarato Jong Shik Yoon, vice presidente esecutivo di Samsung Electronics. "Per competere con successo nel business in rapida crescita di oggi, i nostri clienti hanno bisogno di un partner con una panoramica globale dei progetti avanzati per raggiungere i loro obiettivi aziendali".

Le più recenti tecnologie e soluzioni di processi costruttivi di Samsung, presentate nel corso del Samsung Foundry Forum 2017, includono: 8LPP (8nm Low Power Plus), 7LPP (7nm Low Power Plus), 6LPP (6nm Low Power Plus), 5LPP (5nm Low Power Plus).

Samsung ha dichiarato che il processo LPP a 8nm offrirà la soluzione più competitiva prima di passare al processo EUV (Extreme Ultra Violet). Il processo a 7 nm sarà il primo con la soluzione litografica EUV, già sviluppato in collaborazione con l’azienda olandese ASML.

"8LPP offre il più competitivo vantaggio di scalabilità prima di passare alla litografia EUV" ha dichiarato Samsung, secondo cui "combinando le innovazioni di processo chiave dalla tecnologia 10nm di Samsung, 8LPP offrirà ulteriori vantaggi in termini di prestazioni e spazio rispetto a 10LPP".

Distribuire il processo a 7nm LPP sarà importante perché romperà le barriere della Legge di Moore, aprendo la strada ai processi costruttivi 6LPP, 5LPP e 4LPP. In elettronica e informatica è indicato come prima legge di Moore l’enunciato che segue: "la complessità di un microcircuito, misurata ad esempio tramite il numero di transistori per chip, raddoppia ogni 18 mesi (e quadruplica quindi ogni 3 anni)." Gordon Moore, cofondatore di Intel con Robert Noyce, grazie alle sue supposizioni poi diventate leggi e conosciute come prima e seconda legge di Moore è stato tra coloro che hanno dato il via alla corsa all’evoluzione dei processori.

6LPP adotterà le soluzioni Smart Scaling di Samsung, che saranno incorporate alla base della tecnologia 7LPP basata su EUV, consentendo una maggiore scalabilità e prestazioni con maggior efficienza energetica. 5LPP estenderà il limite di riduzione fisica della struttura FinFET implementando le innovazioni tecnologiche dalla generazione di processo successiva, 4LPP, per una migliore scalabilità e riduzione di potenza.

4LPP sarà la prima implementazione dell’architettura per dispositivi di nuova generazione, la struttura MBCFETTM (Multi Bridge Channel FET). MBCFETTM è la tecnologia unica di GAAFET (Gate All Around FET) di Samsung che utilizza un dispositivo Nanosheet per superare la scalabilità fisica e le limitazioni delle prestazioni dell’architettura FinFET.

Samsung ha inoltre annunciato di sviluppare la tecnologia di processo FD-SOI (Fully Depleted – Silicon on Insulator) ideale per applicazioni in dispositivi per l’IoT. Sarà un miglioramento rispetto del processo FDS a 28 nm con una migliore efficienza energetica, minor spazio occupato e e migliori prestazioni.

EVP Yoon ha concluso che "la roadmap dei processi avanzati di Samsung Foundry è un testamento alla natura collaborativa dei nostri rapporti con i clienti e con gli ecosistemi partner. L’inclusione delle tecnologie di processo sopra descritte consentirà un’espansione di nuovi dispositivi che collegheranno i consumatori in modi mai visti prima".