Samsung Aquabolt, memoria con trasferimento dati fino a 2,4 Gbps

Samsung Electronics ha annunciato di aver avviato la produzione in serie della sua memoria High Bandwidth Memory-2 (HBM2) di 2a generazione da 2 gigabyte (GB), Aquabolt, che è in grado di offrire la più alta velocità di trasmissione dati attualmente sul mercato.

Aquabolt è in grado di offrire una velocità di trasferimento dati di 2,4 gigabit al secondo (Gbps) per pin a 1,2 V, che si traduce in un aggiornamento delle prestazioni di quasi il 50 percento rispetto alla memoria HBM2 da 8 GB di prima generazione della società con i suoi 1,6 Gbps velocità per pin a 1,2 V e 2,0 Gbps a 1,35 V.

Grazie a queste prestazioni, secondo Samsung, Aquabolt sarà in grado di contribuire ad accelerare l’espansione del supercomputing e del mercato delle schede grafiche. Con Aquabolt, Samsung spera di poter guidare la crescita del mercato delle schede DRAM premium.

"Con la nostra produzione della prima HBM2 da 2,4 Gbps da 8 GB stiamo rafforzando ulteriormente la nostra leadership tecnologica e la nostra competitività sul mercato", ha affermato Jaesoo Han, vicepresidente esecutivo del team Sales & Marketing di Samsung Electronics. "Continueremo a rafforzare il nostro dominio sul mercato delle DRAM assicurando una fornitura stabile di HBM2 in tutto il mondo, in conformità con i tempi previsti per i lanci di sistema di prossima generazione da parte dei nostri clienti".

Con i miglioramenti introdotti nella memoria High Bandwidth Memory-2 (HBM2) di 2a generazione, un singolo modulo HBM2 8GB è in grado di offrire una larghezza di banda dati di 307 gigabyte al secondo (GBps), con una trasmissione dati 9,6 volte più veloce rispetto ad un chip GDDR5 da 8 gigabit (Gb) che fornisce una larghezza di banda dati di 32GBps. Combinando quattro moduli HBM2, diventa possibile creare un sistema in grado di consentire una larghezza di banda di 1,2 terabyte al secondo (TBps).

Per raggiungere le prestazioni di Aquabolt, Samsung ha spiegato di aver applicato nuove tecnologie legate al design TSV e al controllo termico. Un singolo modulo HBM2 da 8 GB comprende otto die [il die è la sottile piastrina di materiale semiconduttore sulla quale è stato realizzato il circuito elettronico del circuito integrato] HBM2 da 8 Gb, che sono interconnesse verticalmente utilizzando oltre 5.000 TSV (Through Silicon Via) per die. Mentre l’utilizzo di così tanti TSV potrebbe normalmente causare un disallineamento della clock, Samsung è riuscita a ridurre al minimo l’inclinazione ad un livello molto modesto tale da migliorare significativamente le prestazioni dei chip. Inoltre, Samsung ha aumentato il numero di bumps termici tra i die HBM2, consentendo un controllo termico migliore. Inoltre, la nuova HBM2 include un ulteriore strato protettivo sul fondo, che aumenta la forza fisica complessiva del modulo.

Samsung prevede di continuare ad offrire soluzioni HBM2 di prima generazione, Flarebolt, al fianco della nuova seconda generazione, Aquabolt, con l’obiettivo di "espandere ulteriormente il mercato nei prossimi anni" ha reso noto la società. Per rispondere alla crescente esigenza di DRM HBM2 ad alte prestazioni, Samsung ha inoltre comunicato che prevede di fornire moduli Aquabolt ai suoi clienti IT globali a un ritmo stabile e che continuerà a far progredire la sua tecnologia per memorie DRAM in collaborazione con i principali OEM in un’ampia gamma di campi tra cui il supercomputing, l’intelligenza artificiale e l’elaborazione grafica.