Samsung Electronics ha annunciato di aver avviato la produzione in serie della prima memoria flash universale (eUFS) da 512 gigabyte (GB) da utilizzare nei dispositivi mobili di prossima generazione, tra cui smartphone e tablet. Grazie all’utilizzo dei più recenti chip V-NAND da 512GB a 64 strati di Samsung, il colosso sudcoreano promette che le nuove memorie eUFS da 512GB saranno in grado di garantire capacità di storage senza precedenti ed elevate prestazioni per i prossimi smartphone e tablet di punta.
Con otto chip V-NAND e un chip controller, tutti impilati insieme, la nuova memoria UFS da 512 GB di Samsung raddoppia la densità della precedente scheda eUFS da 256 GB V-NAND a 48 strati di Samsung pur mantenendo le stesse dimensioni della memoria da 256GB.
Secondo Samsung, la maggiore capacità di archiviazione della memoria eUFS fornirà un’esperienza mobile molto più ampia. Ad esempio, la nuova eUFS ad alta capacità consentirà ad uno smartphone di punta di archiviare circa 130 videoclip in Ultra HD 4K (3840 x 2160 pixel) di durata 10 minuti nello stesso tempo impiegato da una memoria eUFS da 64GB che ad archiviare circa 13 video clip della stessa dimensione.
Per massimizzare le prestazioni e l’efficienza energetica della nuova scheda eUFS da 512 GB, Samsung ha introdotto un nuovo set di tecnologie proprietarie.
Il design avanzato del circuito V-NAND da 512 Gb a 64 strati e la nuova tecnologia di gestione dell’alimentazione nel controller eUFS da 512 GB minimizzano l’inevitabile aumento dell’energia consumata, che è importante poichè la nuova soluzione eUFS da 512 GB contiene il doppio del numero di celle rispetto alla scheda eUFS da 256GB. Inoltre, il chip controller su eUFS da 512 GB accelera il processo di mappatura per convertire gli indirizzi dei blocchi logici in quelli dei blocchi fisici.
L’eUFS Samsung 512GB offre anche migliori prestazioni in termini di lettura e scrittura dei dati. La lettura sequenziale e le scritture raggiungono fino a 860MB/s e 255MB/s rispettivamente, il che significa che è possibile trasferire un clip video in risoluzione fullHD da 5GB su un SSD in circa sei secondi, oltre otto volte più velocemente che da una tipica scheda microSD.
Per le operazioni random, la nuova eUFS può leggere 42.000 IOPS e scrivere 40.000 IOPS. Basandosi sulle rapide scritture casuali di eUFS, che sono circa 400 volte più veloci della velocità di 100 IOPS di una scheda microSD convenzionale, Samsung promette per gli utenti di dispositivi mobili di fruire di esperienze multimediali senza soluzione di continuità come lo scatto a raffica ad alta risoluzione, così come la ricerca di file e il download di video in contemporanea in due applicazioni.
"La nuova eUFS Samsung 512GB offre la migliore soluzione di archiviazione integrata per smartphone premium di prossima generazione, superando i potenziali limiti delle prestazioni del sistema che possono verificarsi con l’uso di schede microSD, ha affermato Jaesoo Han, vice presidente esecutivo di Memory Sales & Marketing di Samsung Electronics. "Garantendo una fornitura precoce e stabile di questo avanzato spazio di archiviazione integrato, Samsung sta compiendo un grande passo avanti nel contribuire al lancio tempestivo di dispositivi mobili di prossima generazione da parte dei produttori di dispositivi mobili in tutto il mondo."
In una nota correlata, Samsung intende aumentare la produzione dei propri chip V-NAND 512 Gb a 64 strati e di espandere la propria produzione di schede V-NAND da 256 Gb. Per il produttore sudcoreano questo dovrebbe soddisfare l’aumento della domanda di memorie flash per dispositivi mobili nonché di SSD premium e schede di memoria rimovibili ad alte prestazioni.
