Samsung produce in massa memorie flash V-NAND di 5a generazione

Samsung produce in massa memorie flash V-NAND di 5a generazione

La velocità di trasmissione dei dati tra storage e memoria con la nuova V-NAND 256GB di Samsung ha raggiunto 1,4 Gbps, un aumento del 40 per cento rispetto al predecessore a 64 strati.

 

Scritto da , il 14/07/18

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Samsung Electronics ha annunciato di aver iniziato a produrre in serie i chip di memoria V-NAND di quinta generazione, che sono in grado di effettuare trasferimenti di dati più velocemente rispetto alle generazioni precedenti. In questo primo utilizzo del settore dell'interfaccia 'Toggle DDR 4.0' la velocità di trasmissione dei dati tra storage e memoria con la nuova V-NAND 256 gigabit (Gb) di Samsung ha raggiunto 1,4 gigabit al secondo (Gbps), un aumento del 40% rispetto al suo predecessore a 64 strati.

L'efficienza energetica del nuovo chip V-NAND di Samsung rimane paragonabile a quella del chip a 64 strati, principalmente perché la tensione operativa è stata ridotta da 1,8 volt a 1,2 volt. Il nuovo V-NAND ha anche la velocità di scrittura dei dati più veloce fino ad oggi a 500 microsecondi (us), pari ad un miglioramento di circa il 30% rispetto alla velocità in scrittura della generazione precedente, mentre il tempo di risposta ai segnali di lettura è stato significativamente ridotto a 50us.

All'interno del V-NAND di quinta generazione di Samsung sono presenti oltre 90 strati di celle "3D trap trap flash (CTF)", la più grande quantità nel settore, impilati in una struttura piramidale con fori di canali microscopici verticalmente perforati. Questi fori di canale, grandi solo poche centinaia di nanometri (nm), contengono oltre 85 miliardi di celle CTF in grado di memorizzare tre bit di dati ciascuno. Questa produzione di memoria all'avanguardia è il risultato di diverse innovazioni che comprendono progettazioni di circuiti avanzati e nuove tecnologie di processo costruttivo.

Grazie ai miglioramenti apportati al processo di deposizione dello strato atomico del chip V-NAND, anche la produttività di produzione è aumentata, secondo Samsung di oltre il 30 percento. La tecnica di nuova generazione usata da Samsung consente di ridurre l'altezza di ogni strato di cella del 20 percento, evita il crosstalk tra le celle e aumenta l'efficienza dell'elaborazione dei dati del chip.

"I prodotti e le soluzioni V-NAND di quinta generazione di Samsung offriranno il chip NAND più avanzato nel mercato in rapida crescita delle memorie premium", ha dichiarato Kye Hyun Kyung, vicepresidente esecutivo di Flash Product and Technology presso Samsung Electronics. "Oltre ai progressi all'avanguardia che stiamo annunciando oggi, ci stiamo preparando a presentare offerte da 1-terabit (Tb) e quadruple celle (QLC) nella nostra linea V-NAND per continuare a dare slancio alla prossima generazione di soluzioni di memoria NAND in tutto il mercato globale."

Samsung intende sviluppare rapidamente la produzione del chip V-NAND di quinta generazione per soddisfare una vasta gamma di esigenze del mercato per continuare a guidare la crescita di chip di memoria ad alta densità in settori importanti come il supercomputing, i server aziendali e le ultime applicazioni mobili come gli smartphone premium.


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